VLSI Design

このアプリは、コースの重要なトピック、メモ、資料をカバーするVLSIデザインの完全な無料ハンドブックです。

それは詳細にVLSI設計の90以上のトピックを持っています。これらのトピックは5つのユニットに分かれています。

これは、このテーマに関する重要なトピック、メモ、ニュース、ブログを提供する電子通信工学教育の一部です。この電子工学および通信工学の主題に関するクイックリファレンスガイドおよび電子書籍としてアプリをダウンロードしてください。

このアプリは、試験や面接時の迅速な学習、改訂、参照用に設計されています。

このアプリは、関連するトピックのほとんどと、すべての基本的なトピックを含む詳細な説明をカバーしています。

このエンジニアリングeBookで取り上げられているトピックのいくつかは次のとおりです。

1.半導体メモリ：はじめにと種類

2.読み取り専用メモリ（ROM）

3.3トランジスタDRAMセル

4.1トランジスタDRAMセル

5.フラッシュメモリ

6.低電力CMOSロジック回路：はじめに

7.CMOSインバーターの設計

8. MOSインバーター：スイッチング特性の概要

9.スキャンベースの手法

10.ビルトインセルフテスト（BIST）テクニック

11. VLSI設計の歴史的展望：ムーアの法則

12.CMOSデジタル回路タイプの分類

13.回路設計例

14.VLSI設計手法

15.VLSI設計フロー

16.設計階層

17.規則性、モジュール性、および局所性の概念

18.CMOS製造

19.製造プロセスフロー：基本的な手順

20.nMOSトランジスタの製造

21. CMOS製造：pウェルプロセス

22. CMOS製造：nウェルプロセス

23. CMOS製造：ツインタブプロセス

24.スティック図とマスクレイアウトの設計

25. MOSトランジスタ：物理的構造

26.外部バイアス下のMOSシステム

27.MOSFETの構造と動作

28.しきい値電圧

29.MOSFETの電流電圧特性

30.MOSFETのスケーリング

31.スケーリングの影響

32.小さなジオメトリ効果

33.MOS容量

34.MOSインバーター

35. MOSインバータの電圧伝達特性（VTC）

36.n型MOSFET負荷のインバータ

37.抵抗負荷インバーター

38.空乏負荷インバーターの設計

39.CMOSインバーター

40.遅延時間の定義

41.遅延時間の計算

42.遅延制約のあるインバータ設計：例

43.組み合わせMOS論理回路：はじめに

44.空乏nMOS負荷のあるMOS論理回路：2入力NORゲート

45.枯渇nMOS負荷のあるMOS論理回路：複数の入力を持つ一般化されたNOR構造

46. nMOS負荷が枯渇したMOS論理回路：NORゲートの過渡解析

47.空乏nMOS負荷のあるMOS論理回路：2入力NANDゲート

48.空乏nMOS負荷のあるMOS論理回路：複数の入力を持つ一般化されたNAND構造

49. nMOS負荷が枯渇したMOS論理回路：NANDゲートの過渡解析

50. CMOS論理回路：NOR2（2入力NOR）ゲート

51. CMOS NAND2（2入力NAND）ゲート

52.単純なCMOS論理ゲートのレイアウト

53.複雑な論理回路

54.複雑なCMOS論理ゲート

55.複雑なCMOS論理ゲートのレイアウト

56.AOIおよびOAIゲート

57.疑似nMOSゲート

58.CMOS全加算器回路とキャリーリップル加算器

59. CMOSトランスミッションゲート（パスゲート）

60.相補型パストランジスタロジック（CPL）

61.シーケンシャルMOSロジック回路：はじめに

62.双安定要素の動作

63.SRラッチ回路

64.クロックSRラッチ

65.クロックドJKラッチ

66.マスタースレーブフリップフロップ

67.CMOSDラッチおよびエッジトリガーフリップフロップ

68.動的論理回路：はじめに

69.パストランジスタ回路の基本原理

文字制限のため、すべてのトピックがリストされているわけではありません。

各トピックには、より良い学習と迅速な理解のために、図、方程式、およびその他の形式のグラフィック表現が含まれています。

このアプリはクイックリファレンスに役立ちます。このアプリを使えば、数時間以内にすべてのコンセプトの改訂を終えることができます。

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